分子取向光刻及其应用（东吴物理大讲坛）

报告题目：分子取向光刻及其应用

 时间：2023年12月14日，上午10：00

地点：物理科技楼101

报告人：韦齐和

报告邀请人：施夏清

摘要：报告将介绍团队在液晶物理和应用的研究进展。控制分子取向是制造所有液晶器件的重要步骤。基于液晶的平面光学元件、刺激响应弹性体和可编程折纸的独特功能依赖于空间不均匀的分子取向。本报告将介绍一种新的光刻技术，通过使用等离激元超掩膜产生偏振图案，可将界面的棒状的液晶分子排列成任意2D图案，空间分辨率达到300纳米，为类似技术中最高。报告还将介绍分子光刻技术的一系列独特的应用，包括平面光学元器件的设计和制备，极性和非极性液晶体系的拓扑结构的编程设计、制备及物理特性。

报告人简介：韦齐和，南方科技大学教授，博士生导师，德国洪堡学者和美国国家科学基金会CAREER 奖获得者、国际光学工程学会SPIE会士。长期从事软物质物理、纳米制造、微纳光学、仿生等交叉学科研究，在多个领域做出原创性的贡献，包括利用微加工技术，首次清楚证实了单通道扩散不满足Fick定律的理论预言；发现低对称粒子的布朗运动存在短时和长时扩散系数、颠覆了对低对称性粒子布朗运动的传统理解、被美国和欧洲物理学会新闻报道；发明了基于超掩模板的分子取向光刻技术，实现了液晶平面光学元器件的高精密制造；用于构建取向序微环境，实现对细胞、细菌等活物质的精确操控.